輝鉬的優勢

同矽相比,輝鉬的優勢之一是體積更小,輝鉬單分子層是二維的,而矽是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上,電子運動和在兩納米厚的矽薄膜上一樣容易。但目前不可能把矽薄膜做得像輝鉬薄膜那麼薄。
輝鉬的另一大優勢是比矽的耗能更低。在固態物理學中,能帶理論描述了在特定材料中電子的能量。在半導體中,自由電子存在於這些能帶之間,稱為“帶隙”。如果帶隙不太小也不太大,某些電子就能跳過帶隙,能更有效控製材料的電子行為,開關電路更容易。

 

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