二硫化鉬納米片功函數相關研究進展
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- 分類：钼的知識
- 發佈於：09 七月 2014
- 作者 ling
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哈爾濱工業大學的研究人員在二維二硫化鉬納米片功函數及載流子濃度調控研究方面取得進展，相關論文日前在《美國化學會•納米》（ACS Nano）刊發。
據介紹，與石墨烯相比，二維二硫化鉬納米片具有合適的帶隙，適用於光檢測等功能器件。金屬電極與二硫化鉬納米片之間的電接觸行為對器件性能的影響很大，研究者需要了解接觸處的能帶排列，因此對二硫化鉬納米片功函數的表徵及調控成為最近的研究熱點。
研究人員通過引入具有偶極動量的自組裝單分子層，成功對二硫化鉬納米片載流子及功函數進行了調控，其自組裝單層能夠使得單層二硫化鉬納米片的場效應晶體管極性發生變化。通過調節二硫化鉬納米片的功函數來調控二硫化鉬納米片功能器件中金屬電極與二硫化鉬接觸處的接觸勢壘，能夠指導基於電接觸的功能器件的設計及製備，用於氣敏及光響應器件等領域。
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